기술 및 제품

끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템

열처리기술

반도체전공정의 핵심 장비인 급속열처리 장비를 고객사에 제공하고 있습니다.

  • 텅스텐 할로겐램프를 이용하여 짧은 시간 이내에 웨이퍼를 고온으로 처리하는 열처리(Rapid Thermal Processing, RTP)장비는 산화 공정에 적용됩니다.
  • Rapid Thermal Process
  • Halogen lamp

Rapid Thermal Process

KORONA™ RTP-12MP
KORONA™ RTP-12LR

RTP의 장점은 온도를 빠르게 가열 또는 냉각할 수 있어 열 소모 비용을 크게 줄일 수 있습니다. AP시스템의 RTP장비는 우수한 온도 균일성, 웨이퍼 회전, 방사율 보상과 지능형 온도 조절을 제공합니다.

Technology

자성을 이용한 비접촉식 회전(Magnet Levitation)으로 표면 내 우수한 온도 균일성을 확보합니다.

Specification

Spec Items Unit Specification
Temperature Reading Range 400 ~ 1250
Temperature Control Range 435 ~ 1200
Temperature Ramping-Up Rate ℃/sec Up: 250℃/sec, Down: -90℃/sec
Process Pressure Torr 780±2 ~ 1×10-3
RTO Range @ 1100℃, 60sec, X-scan, 49Points, 3 EE Å, 1σ ≤±0.5
Rs Range @ 700 ~ 1100℃, X-scan, 81Points, 3 EE Ω/Sq, 1σ ≤15
Pyrometer to Pyrometer Peak Temp Uniformity Target±1.0℃ @Bare Wafer
RTO/Rs Non-uniformity %,1σ RTO: 0.48%, Rs: 0.72%
RTO/Rs Repeatability %,1σ ≤1.5%, 1σ
Temp. Stability & Repeatability <±1.0℃
Rs WTW Non-Uniformity %,1σ <1%, 1σ
Mechanical Throughput (2 Chambers) WPH 142
Item Description Unit Specification Remarks
EFEM Load Port Set 2 ~ 3 Class 10
ATM-Robot & Aligner Set 1(Aligner: Option)
TM (Option) Load Lock Set 1(mTorr) Particle Free
Transfer Chamber Set 1(mTorr)
Process Module Heater Block Advanced Mosaic Array Set 1 ~ 3(mTorr)
Ch. Body Cold Wall Chamber Set 1 ~ 3(mTorr)
Lamp Type ea 290(T Shape Bulb)
Temp. Control Temp. Control Performance Control Range 435 ~ 1200℃ ±0.5℃ Control
(Option: Spike)
Ramping-Up Max. +240℃/sec
Ramping-Down Max. -80℃/sec
Pyrometers per chamber Quantity ea 5
Process 49 Points RTO Range Å ≤1 @1σ
49 Points Rs Non-Uniformity % ≤1 @1σ