기술 및 제품

끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템

플라스마응용기술

플라스마를 활용하여 반도체 및 디스플레이 공정에 적용되는 증착 및 식각 장비를 보유하고 있습니다.

  • 반도체 분야: 플라스마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD, Sputter), PR 제거를 위한 에싱(Ashing) 장비
  • 디스플레이 분야: 박막 봉지(TFE) 공정 장비
  • Evaporation
  • Thin Film Encapsulation
  • Sputter System
  • Ashing
  • Dry Strip System
  • Descum System

Thin Film Encapsulation

KORONA™ TFE System

  • AMOLED 소자로의 산소 및 수분 침투 방지를 위한 봉지용 박막 구조 증착기
  • 최대 6세대 2분할 기판 적용 가능
  • Flexible, rollable, foldable 디스플레이 구현을 위한 유연 봉지 막 증착기

Technology

  • 다중 선형 노즐의 ALD 증착 원
  • In-situ cleaning 및 가스 유동 제어 기술을 통한 고청정 박막 증착 기술
  • 다층구조 박막 설계 기술을 통한 stress 제어 및 투습도 최적화 기술

Features

  • ICP 안테나 설계 기술 (고밀도/저손상 플라스마)
  • Susceptor 설계 기술 (후면 폴리머 제거 가능 및 웨이퍼 휨 방지)
  • Pre-Heating(Halogen Lamp) 제어 및 공정 기술
  • 기능성 반송 로봇 (웨이퍼 정렬)

Specification

Substrate Loading 6세대 2분할, 925mm x 1500mm
기판 온도 최대 90℃
투습도 < 5e-5 g/m2/day @ 1000Å, SiNx/SiOx 다층구조
막 두께 균일도 < 5%
광투과도 > 90% @ 가시광 전 영역
Stress <±100 MPa

Sputter System

KORONA™ PVD600_ Advanced Package Process

  • 반도체 Advanced Package 스퍼터(Sputter)
  • 반도체 소자의 대용량화, 고속화 및 소형화 추세에 따라 반도체 Package 기술도 기존 Wire bonding에서 Flip Chip으로 최근에는 FOWLP (Fan-out wafer level package) / FOPLP (Fan-out panel level package)와 3D Package로 발전되어가고 있습니다.
  • AP시스템에서는 반도체 Package 기술의 발전에 따라 금속막 (CPB, RDL) 제조용 스퍼터링 장비를 고객사에 공급하고 있습니다.

Technology

  • 각 체임버로 인입 시에 Substrate Shift Detection & Align 기술
  • 최적 공정 확보를 위한 저온용(-20℃) ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
  • Long Term Degas Time(30min 이상) & High Temperature Uniformity를 위한 Multi Plate Heating System 구성기술
  • Lower Particle을 위한 in Situ Pasting 적용한 CCP 형태의 플라스마 원 기술
  • High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술(Magnetron Scan & Tilt for FOPLP)
  • 다양한 장비에 적용 및 검증 기반의 Software Tool(EasyCluster™) 운용기술

Features

PVD600: CPB & FOWLP

  • 기판 Information: Diameter 300mm including EMC (Epoxy Molding Compound)
  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber, 2Pre-Cleaning Chamber (CCP) & 2Process Module

PVD600_R450: FOPLP

  • 기판 Information: Rectangular(Approximately 400 x 500mm2) type with PCB like
  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber, 2Precleaning Chamber (CCP) & 2Process Module(Vertical Process)

Specification

Substrate Loading 6세대 2분할, 925mm x 1500mm
Substrate Temperature 최대 90℃
Water Vapor Transmission Rate < 5e-5 g/m2/day @ 1000Å, SiNx/SiOx 다층구조
Thickness Uniformity < 5%
Optical Transmittance > 90% @ 가시광 전 영역
Stress <±100 MPa

Technology

  • 각 체임버로 인입 시에 Wafer Shift Detection & Align 기술
  • 최적 공정 확보를 위한 ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
  • Fast Temperature Rising & High Temperature Uniformity을 위한 Dual Heating System 구성기술
  • Lower Damage & High Throughput을 위한 ICP 형태의 플라스마원 기술
  • High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술
  • 다양한 장비에 적용 및 검증 기반의 Software Tool(Easy Cluster™) 운용기술

Features

PVD600: Single Backbone

  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, Single Degas Chamber, Pre-Cleaning Chamber (ICP) & 2Process Module

PVD1000: Dual Backbone

  • EFEM, 2LoadLock, 2Octagonal Transfer Chamber, 2Single Degas Chamber, 2Precleaning Chamber (ICP) & 4Process Module

Specification

Common Temperature Uniformity(@ Degas of 300℃): ≤ 5%
Etch Uniformity(@ Pre-Cleaning) :≤ 5%
Film Uniformity(@ Process) : ≤ 3%
Throughput (@ Ti : 250Å,
Al : 6000Å, TiN : 250Å)
PVD600 : ≥ 39 sheets/hr
PVD1000 : ≥ 52 sheets/hr

Dry Strip System

KORONA™ DSS300

  • 반도체 포토레지스트(Photoresist) Strip 시스템
  • 반도체 제조 공정 중, 식각 공정 및 이온 주입 공정 후 마스크 층으로 적용된 포토레지스트 및 ACL (Amorphous Carbon Layer)을 플라스마 화학 반응을 이용하여 제거하는 시스템입니다.

Technology

  • 고주파수 헬리컬 유도결합 플라스마를 이용한 높은 이온 밀도
  • ICP 안테나 구조 차별화에 따른 낮은 플라스마 기인성 손상
  • 대용량 플라스마 리액터 및 체임버 내부 구조의 간소화
  • Pre-heating Module(TM)을 통한 기판의 열적 손상 최소화
  • CoC (Cost of Consumables) 비용 최소화

Features

  • ICP 안테나 설계 기술 (고밀도/저손상 플라스마)
  • Susceptor 설계 기술 (후면 폴리머 제거 가능 및 웨이퍼 휨 방지)
  • Pre-heating(Halogen Lamp) 제어 및 공정 기술
  • 기능성 반송 로봇 (웨이퍼 정렬)

Specification

Substrate Loading 6세대 2분할, 925mm x 1500mm
기판 온도 최대 90℃
투습도 < 5e-5 g/m2/day @ 1000Å, SiNx/SiOx 다층구조
막 두께 균일도 < 5%
광투과도 > 90% @ 가시광 전 영역
Stress <±100 MPa

Descum System

KORONA™ DSC300

  • 반도체 디스컴(Descum) 시스템
  • 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding)에 사용되기 위한 범프(Bump)를 웨이퍼에 형성하는 데 있어, 전기도금 공정 전 패턴 측벽의 스컴(Scum)을 제거하거나, 접착력 개선을 위한 표면을 개질하는 플라스마 처리 시스템입니다.

Technology

  • ICP Antenna 설계 기술 (고밀도/저손상 플라스마)
  • 공정 균일도 제어 (최적화된 Pedestal 및 포커스 링 설계)
  • 플라스마 안정성 (최적화된 체임버 내부 설계)
  • 기능성 반송 로봇 (웨이퍼 정렬)

Features

  • 헬리컬 유도결합 플라스마를 이용한 높은 식각률
  • 대용량 플라스마 리액터 및 체임버 내부 구조의 간소화
  • 공정 균일도 제어 용이
  • CoC (Cost of Consumables) 비용 최소화

Specification

  • Helical Resonance ICP Plasma(27.12MHz)
    (Ion Density: >1E12 cm-3 , Electron Temperature < 1eV)
  • Cooling Pedestal: 0 ~ 40°C
  • 4-Arm, 7축 진공 로봇 (AWC 기능 포함)
  • 독립 체임버 구성/제어 (6-체임버 적용 가능)