사업소개

끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템

Semiconductor

Rapid Thermal Process

반도체 전 공정의 핵심 장비인 급속 열처리 장비를 고객사에 제공하고 있습니다.

  • 텅스텐 할로겐램프를 이용하여 짧은 시간 이내에 웨이퍼를 고온으로 처리하는 열처리(Rapid Thermal Processing, RTP) 장비는 Implantation, Diffusion 등의 분야에서 이용됩니다.
  • Rapid Thermal Process
  • Soak
    Spike

Technology

자성을 이용한 비접촉식 회전(Magnet Levitation)으로 표면 내 우수한 온도 균일성을 확보합니다.

Specification

Features

  • 2 Chamber
  • ATM 설비
  • 3 Load Port
  • MPD 일체형
Item Description Unit Specification Remarks
EFEM Load Port Quantity Set 3 LPP(option)
ATM-Dual Robot Set 1
Process Module Heater Block Process Pressure Torr 800 ~ ATM
Ch. Body
T Shape LAMP Quantity ea 290
Power Electrical Rack SPEC General Power 208V, 3PH, MCCB630A
Temp. Control Performance Control Range ℃ 450 ~ 1150℃ ±1.5℃ Control
Ramping-Up ℃ Max. +250℃/sec spike
Ramping-Down ℃ Max. -90℃/sec
Pyrometers per chamber Quantity ea 5
Process 49 Points RTO Range Å ≤1 @1σ

Features

  • 3 Chamber
  • Vacuum 설비
  • 3 Load Port
  • 하부층에 MPD Box 별도
Item Description Unit Specification Remarks
EFEM Load Port Quantity Set 3 LPP(option)
ATM-Robot & Aligner Set 1(with Aligner)
VTM Stack Load Lock Quantity Set 4 Particle Free
Pentagon VTM Set 1
Process Module Heater Block Process Pressure Torr >2
Ch. Body
T Shape LAMP Quantity ea 290
MPD Electrical Rack Quantity Set 3
SPEC General Power 208V, 3PH, MCCB630A
Temp. Control Performance Control Range ℃ 450 ~ 1150℃ ±0.5℃ Control
Ramping-Up ℃ Max. +100℃/sec
Ramping-Down ℃ Max. -40℃/sec
Pyrometers per chamber Quantity ea 5
Process 49 Points RTO Range Å ≤1 @1σ
닫기
닫기