텅스텐 할로겐램프를 이용하여 짧은 시간 이내에 웨이퍼를 고온으로 처리하는 열처리(Rapid Thermal Processing, RTP) 장비는 Implantation, Diffusion 등의 분야에서 이용됩니다.

반도체 소자의 대용량화, 고속화 및 소형화 추세에 따라 반도체 Package 기술도 기존 Wire bonding에서 Flip Chip 방식으로 변화되고 있으며, 최근에는 FOWLP(Fan-out wafer level package) / FOPLP(Fan-out panel level package)와 3D Package으로 발전 되어가고 있습니다. AP시스템에서는 반도체 Package 기술의 발전에 따라 금속막 (CPB UBM, RDL) 제조용 스퍼터링 장비를 고객사에 공급하고 있습니다.

플립칩 본딩(Flip Chip Bonding)에 사용되기 위한 범프(Bump)를 웨이퍼에 형성하는 데 있어, 전기도금 공정 전 패턴 측벽의 스컴(Scum)을 제거하거나, 접착력 개선을 위한 표면을 개질하는 플라즈마 처리 시스템입니다.

반도체 분석 공정에서 레이저와 고정밀 Scanner 광학계를 통해 Wafer에 실장된 반도체 Chip을 Cell 단위로 절단 및 분리하는 장비입니다.

반도체 HBM / WLP / PLP 제조공정에서 레이저, 광학기술 및 프로세스 모듈을 이용하여 Device 기판과 Carrier 기판을 분리하는 제조 공정 설비입니다.

반도체 웨이퍼 내 실장된 반도체 칩을 Cell 단위로 절단 및 분리하는 제조 공정 설비입니다.

반도체 전공정 중, 3파장 레이저를 이용하여 웨이퍼 표면을 목적에 맞게 선택적 열처리하는 공정 설비입니다. 목적: Dopant Activation, Silicidation 등

반도체 패키지 공정에 사용되는 절연 물질을 선택적으로 제거하는 공정 설비입니다.