사업소개
끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템
Semiconductor
Sputter System
KORONA™ PVD600_ Advanced Package Process
- 반도체 Advanced Package 스퍼터(Sputter)
- 반도체 소자의 대용량화, 고속화 및 소형화 추세에 따라 반도체 Package 기술도 기존 Wire bonding에서 Flip Chip 방식으로 변화되고 있으며, 최근에는
FOWLP(Fan-out wafer level package) / FOPLP(Fan-out panel level package)와 3D Package으로 발전 되어가고 있습니다. - AP시스템에서는 반도체 Package 기술의 발전에 따라 금속막 (CPB UBM, RDL) 제조용 스퍼터링 장비를 고객사에 공급하고 있습니다.
Technology
- 각 체임버로 인입 시에 Substrate Shift Detection & Align 기술
- 최적 공정 확보를 위한 저온용(-20℃) ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
- Long Term Degas Time & 균일한 High Temperature를 위한 Multi Plate Heating
System 구성기술
- Lower Particle을 위한 in Situ Pasting 기술 적용된 CCP 형태의 플라즈마 식각 체임버
- High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술
(Magnetron Scan & Tilt for FOPLP) - 다양한 반도체 장비에 적용되어 검증된 Software Tool(EasyCluster™) 운용기술
Features
PVD600: CPB & FOWLP
- 기판 Information: Diameter 300mm including EMC (Epoxy Molding Compound)
- EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber, 2Pre-
Cleaning Chamber (CCP) & 2Process Module
PVD600_R450: FOPLP
- 기판 Information: Rectangular(Approximately 400 x 500mm) PCB
- EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber,
2Precleaning Chamber (CCP) & 2Process Module(Vertical Process)
Specification
| Temperature Uniformity> (@ Degas of 300℃) |
≤ 5% |
|---|---|
| Etch Uniformity (@ Precleaning) |
≤ 7% |
| Film Uniformity (@ Process) |
≤ 5% |
| Throughput (@ Ti : 1000Å, Cu : 3000Å) |
≥ 33 sheets/hr(@ Si기판), ≥ 24 sheets/hr(@ EMC & PCB 기판) |
Technology
- 각 체임버로 인입 시에 Wafer Shift Detection & Align 기술
- 최적 공정 확보를 위한 ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
- Fast Temperature Rising & 균일한 High Temperature를 위한 Dual Heating
System 구성기술
- Lower Damage & High Throughput을 위한 ICP 형태의 플라즈마 식각 체임버
- High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술
- 다양한 반도체 장비에 적용되어 검증된 Software Tool(EasyCluster™) 운용기술
Features
PVD600: Single Backbone
- EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, Single Degas Chamber, Pre-
Cleaning Chamber (ICP) & 2Process Module
PVD1000: Dual Backbone
- EFEM, 2LoadLock, 2Octagonal Transfer Chamber, 2Single Degas Chamber,
2Precleaning Chamber (ICP) & 4Process Module
Specification
| Common | Temperature Uniformity(@ Degas of 300℃): ≤ 5% |
|---|---|
| Etch Uniformity(@ Pre-Cleaning) :≤ 5% | |
| Film Uniformity(@ Process) : ≤ 3% | |
| Throughput (@ Ti : 250Å, Al : 6000Å, TiN : 250Å) |
PVD600 : ≥ 39 sheets/hr |
| PVD1000 : ≥ 52 sheets/hr |
